台积电公布5种3nm制程路线图2025年量产2nm工艺
台积电今日在北美技术论坛上公布了新的制程路线图，定于2025年量产2nm工艺，其采用Nanosheet(纳米片电晶体)的微观结构，取代FinFET。
期间，台积电甚至规划了5种3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X……
台积电还雄心勃勃地提出，要在2025年前将成熟和专业化制程的产能提高50%，包括兴建更多的晶圆厂。
显然，作为产能提升以及兴建晶圆厂的关键核心设备，EUV光刻机少不了要采购一大批。
台积电表示，计划在2024年引入ASML的新一代EUV极紫外光刻机。
此前，Intel曾说自己是第一个订购ASML下一代EUV光刻机的厂商，计划2025年前使用上。
三星这边也是不甘示弱，本周副会长李在镕亲赴荷兰会见ASML高层，据说至少争取到了18台(ASML今年预计出货51台EUV)。
资料显示，荷兰ASML正在研发新款光刻机High-NA EXE:5200(0.55NA)，所谓High-NA也就是高数值孔径，2nm之后的节点都得依赖它实现。
这款光刻机价值高达4亿美元(约合26亿元人民币)，双层巴士大、重超200吨。
