台积电公布5种3nm制程路线图2025年量产2nm工艺

台积电今日在北美技术论坛上公布了新的制程路线图,定于2025年量产2nm工艺,其采用Nanosheet(纳米片电晶体)的微观结构,取代FinFET。

期间,台积电甚至规划了5种3nm制程,包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X……

台积电还雄心勃勃地提出,要在2025年前将成熟和专业化制程的产能提高50%,包括兴建更多的晶圆厂。

显然,作为产能提升以及兴建晶圆厂的关键核心设备,EUV光刻机少不了要采购一大批。

台积电表示,计划在2024年引入ASML的新一代EUV极紫外光刻机。

此前,Intel曾说自己是第一个订购ASML下一代EUV光刻机的厂商,计划2025年前使用上。

三星这边也是不甘示弱,本周副会长李在镕亲赴荷兰会见ASML高层,据说至少争取到了18台(ASML今年预计出货51台EUV)。

资料显示,荷兰ASML正在研发新款光刻机High-NA EXE:5200(0.55NA),所谓High-NA也就是高数值孔径,2nm之后的节点都得依赖它实现。

这款光刻机价值高达4亿美元(约合26亿元人民币),双层巴士大、重超200吨。

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