台积电公布N33nm工艺:鳍式晶体管终结之作

台积电今天不仅公布了 Nanosheet碳纳米片技术的开山之作N2 2nm工艺 ,还展示了FinFET鳍式晶体管的终结之作N3 3nm工艺,发展出了多达五种不同版本,也是历代工艺中最丰富的。

N3

最早也是最标准的3nm,今年下半年投入量产,预计明年初可以看到产品上市。

它面向有超强投资能力、追求新工艺的早期客户,比如苹果、AMD这种,但是应用范围较窄,只适合制造特定的产品。

对比N5,功耗可降低约25-30%,性能可提升10-15%,晶体管密度提升约70%。

Ehanced增强版,近期就会风险性试产,明年年中规模量产,产品上市预计2023年底或2024年初。

它在N3的基础上提升性能、降低功耗、扩大应用范围,对比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%,或者可以将晶体管密度提升60%——是的,它的密度反而低于N3。

台积电还称,N3E可以达到比N4X更高的频率,后者明年投产。

N3P

Performance性能增强版,细节不详。

N3S

密度增强版,细节不详。

N3X

超高性能版,不在乎功耗和成本,也是N4X的继承者。

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