台积电公布N33nm工艺：鳍式晶体管终结之作
台积电今天不仅公布了 Nanosheet碳纳米片技术的开山之作N2 2nm工艺 ，还展示了FinFET鳍式晶体管的终结之作N3 3nm工艺，发展出了多达五种不同版本，也是历代工艺中最丰富的。
N3
最早也是最标准的3nm，今年下半年投入量产，预计明年初可以看到产品上市。
它面向有超强投资能力、追求新工艺的早期客户，比如苹果、AMD这种，但是应用范围较窄，只适合制造特定的产品。
对比N5，功耗可降低约25-30%，性能可提升10-15%，晶体管密度提升约70%。
Ehanced增强版，近期就会风险性试产，明年年中规模量产，产品上市预计2023年底或2024年初。
它在N3的基础上提升性能、降低功耗、扩大应用范围，对比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%，或者可以将晶体管密度提升60%——是的，它的密度反而低于N3。
台积电还称，N3E可以达到比N4X更高的频率，后者明年投产。
N3P
Performance性能增强版，细节不详。
N3S
密度增强版，细节不详。
N3X
超高性能版，不在乎功耗和成本，也是N4X的继承者。
