三星电子计划三年内建立3纳米GAA工艺赶上台积电
基于 3 纳米的全环绕栅极(Gate-All-AroundT，简称 GAA)工艺有望成为半导体行业的游戏规则改变者。三星电子计划在未来三年内通过建立 3 纳米 GAA 工艺，赶上全球第一大代工公司台积电。
GAA 是一种下一代工艺技术，它改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面，而不是当前 FinFET 工艺中的三个侧面。 GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。根据集邦咨询的数据，2021 年第 4 季度，台积电占全球代工市场的 52.1%，远超三星电子的 18.3%。
三星电子押注将 GAA 技术应用到 3 纳米制程以赶上台积电。据报道，这家韩国半导体巨头在 6 月初将晶圆置于 3 纳米 GAA 工艺中进行试量产，成为世界上第一家使用 GAA 技术的公司。它正在寻求通过技术飞跃立即缩小与台积电的差距。与 5 纳米工艺相比，3 纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%，同时芯片面积减少了 35%。
继今年上半年将 GAA 技术应用于其 3 纳米工艺后，三星计划在 2023 年将其引入第二代 3 纳米芯片，并在 2025 年量产基于 GAA 的 2 纳米芯片。台积电的战略是今年下半年进入3nm半导体市场，采用稳定的FinFET工艺，而三星电子则押注 GAA 技术。
